Osadzanie metodą PECVD

Oferujemy osadzanie CVD wspomagane plazmą (PECVD – Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) do zastosowań m.in. w nanoelektronice, fotonice, mikromechanice, pasywacji, hermetyzacji czy wytwarzaniu warstw maskujących. Urządzenie umożliwia nanoszenie warstw tlenków, azotków i tlenoazotków krzemu o regulowanym współczynniku załamania światła, a także na uzyskanie w kontrolowany sposób warstw materiałów o różnym naprężeniu mechanicznym. Warunki prowadzonego procesu:

• grubości warstw od dziesiątek nanometrów do pojedynczych mikrometrów,
• generator plazmy RF 13,56 MHz oraz generator o zakresie częstotliwości 50-450 kHz,
• możliwość pracy na pojedynczych podłożach o wymiarach do 200 mm/8’’ średnicy, jak również na mniejszych podłożach o dowolnych kształtach,
• osadzanie warstw ditlenku krzemu (SiO2), azotku krzemu (SiNx), tlenoazotku krzemu (SiOxNy), krzemu amorficznego (a-Si) z możliwością kontroli składu i naprężeń.

Słowa kluczowe: osadzanie CVD, PECVD, warstwy maskujące, tlenek krzemu, azotek krzemu, tlenoazotek krzemu, krzem amorficzny

kontakt: uslugi.cezamat@pw.edu.pl