Modyfikacja właściwości materiału

Dyfuzja wysokotemperaturowa – oferujemy wykonanie procesu dyfuzji do zastosowań w mikro- i nanoelektronice, fotonice czy fotowoltaice oraz mikromechanice.

Dyfuzja boru w temperaturze do 1000 °C
Możliwość procesowania w powtarzalny sposób dużych partii w jednym procesie: 25 podłóż o średnicy 200 mm oraz 50 podłóż o średnicy 100 mm i 150 mm

Implantacja jonów – oferujemy proces implantacji jonów dla potrzeb m. in. elektroniki, optoelektroniki, spintroniki. W zastosowaniach elektronicznych implantator jonów umożliwia wytwarzanie źródeł i drenów, formowanie napięcia progowego przyrządów CMOS, domieszkowanie obszarów emitera, bazy i kolektora przyrządów bipolarnych, a także wykonywanie implantacji Well i Halo. Do zastosowań elektroniki krzemowej używane są jony B, BF₂, P, As, Si. Do półprzewodników alternatywnych używane są jony grup IIb, IIIa, IVa, Va, VIa. Podczas implantacji temperatura podłoża nie przekracza 100 °C. Dla potrzeb optoelektroniki i spintroniki istnieje możliwość implantowania jonami metali ziem rzadkich oraz jonami metalów przejściowych. Urządzenie to nadaje się także do inżynierii defektów przy podłożach podgrzewanych do 500 °C. Implantator umożliwia też zastosowanie technologii smart-cut w celu otrzymywania ultracienkich monokrystalicznych warstw krzemu. Dodatkowe wyposażenie w robota do automatycznego załadunku płytek pozwala na zastosowanie tego urządzenia w małoseryjnej produkcji.

Możliwość implantacji jonów tlenu, azotu, wodoru, argonu, boru oraz innych (w bardzo szerokim zakresie mas, tj. 1-210 AMU)
Możliwość implantacji na podłożach 150 mm lub 200 mm w cyklu automatycznym oraz 100 mm. Mniejsze podłoża po wcześniejszych uzgodnieniach
Chłodzenie podłoża wspomagane helem – możliwość implantacji przez maskę z grubej emulsji fotolitograficznej
Możliwość implantacji przy podwyższonej, kontrolowanej temperaturze podłoża od 100 °C do 500 °C
Napięcie przyśpieszające z zakresu 5 kV do 200 kV, prąd wiązki do 1,5 mA (zależnie od rodzaju jonów)

Wygrzewanie – oferujemy proces wygrzewania dużych partii podłoży półprzewodnikowych w kontrolowany sposób.

Wygrzewanie w atmosferze azotu, argonu i/lub w mieszaninie azotu i wodoru w temperaturze do 1200 °C,
Możliwość procesowania w powtarzalny sposób dużych partii w jednym procesie: 25 podłóż o średnicy 200 mm oraz 50 podłóż o średnicy 100 mm i 150 mm.

Ultra szybkie wygrzewanie Rapid thermal processing (RTP) – oferujemy procesy ultra szybkiego wygrzewania podłóż krzemowych z możliwością szybkości nagrzewania do 200°C/s.

Wygrzewanie podłóż o rozmiarach 4”, 6”, 8” z szybkością grzania do 200 °C/s,
Wygrzewanie podłóż o nieregularnych kształtach z szybkością grzania do 20 °C/s,
Procesy mogą być prowadzone w atmosferze gazów N₂, Ar, O₂, H₂, NH₃, N₂O,
Możliwość wygrzewania pod obniżonym ciśnieniem.

Każdy proces jest wyceniany indywidualnie w zależności od potrzeb klienta. W celu otrzymania wyceny prosimy o kontakt: seminsys.cezamat@pw.edu.pl.