Projekt
Badanie zjawiska tunelowania międzypasmowego między niskowymiarowymi gazami nośników w polowym tranzystorze tunelowym
Opis
Miniaturyzacja przyrządów półprzewodnikowych jest jednym z najważniejszych czynników wzrostu stopnia integracji układów scalonych opisanych prawem Moore’a. Przy skalowaniu wymiarów tranzystorów MOSFET (ang. Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) pojawiają się nowe niechciane efekty, które powodują degradację charakterystyk elektrycznych. W celu kontynuowania postępu technologii komputerowej, potrzebna jest nowa klasa przyrządów. Jednym z najbardziej obiecujących kandydatów jest tunelowy tranzystor polowy (ang. Tunnel Field Effect Transistor – TFET). Wykorzystuje on zjawisko kwantowo mechaniczne zwane tunelowaniem międzypasmowym jako mechanizm transportu nośników. Z tego względu możliwe jest uzyskanie współczynnika SS < 60 mV/dekadę. Istnieje potrzeba rozwijania fizycznych modeli przyrządów TFET oraz narzędzi do ich symulowania w różnych konfiguracja w celu badania transportu nośników w tych strukturach. Głównym celem projektu jest teoretyczne zbadania tunelowania pomiędzy obszarami niskowymiarowymi w przyrządzie TFET w różnych strukturach. W tym celu zostanie opracowany zaawansowany symulator numeryczny.
Finansowanie
Projekt finansowany przez Narodowe Centrum Nauki
Lider
Politechnika Warszawska
Nr projektu
2018/31/N/ST7/01147
Wartość projektu
148 500,00 zł