Wafer bonding

Oferujemy łączenie podłoży wytworzonych z różnych materiałów, w tym z materiałów półprzewodnikowych (krzemu i in.) i dielektryków (szkło, ceramika i in.), do zastosowania w mikroelektronice, nanoelektronice, fotonice oraz mikrosystemach.

• Przystosowane do pracy z podłożami okrągłymi od 100mm do 200mm (100mm/4”, 150mm/6”, 200mm/8”) oraz fragmentami nie mniejszymi niż 10mm x 10mm
• Możliwość łączenia (bonding) próbek następującymi technikami:

• Łączenia adhezyjnego (klej)
• Łączenia eutektycznego (termokompresja)
• Łączenia anodowego
• Łączenia przy użyciu szkliwa (glass frit)
• Łączenia bezpośredniego (direct bonding)

• Komora płukana gazem obojętnym
• Zakres kontroli temperatury od 50°C do 500°C z dokładnością ±3°C, stabilnością ±1,0°C i jednorodnością na poziomie ±2%
• Siła nacisku do 20kN, z programową regulacją
• Maksymalna próżnia 5×10-5mbar (sterowanie ciśnieniem w komorze procesowej poprzez dozowanie gazu procesowego – N2, w zakresie od 1 do 1000mbar)
• Możliwość centrowania podłoży z wykorzystaniem urządzenia do centrowania wzorów/masek

Każdy proces jest wyceniany indywidualnie w zależności od potrzeb klienta. W celu otrzymania wyceny prosimy o kontakt: seminsys.cezamat@pw.edu.pl.