Implantacja jonów

Oferujemy proces implantacji jonów dla potrzeb m.in. elektroniki, optoelektroniki czy spintroniki. W zastosowaniach elektronicznych implantator jonów umożliwia wytwarzanie źródeł i drenów, formowanie napięcia progowego przyrządów CMOS, domieszkowanie obszarów emitera, bazy i kolektora przyrządów bipolarnych, a także wykonywanie implantacji Well i Halo. Do zastosowań elektroniki krzemowej używane są jony następujących pierwiastków: B, P, As, Si. Do półprzewodników alternatywnych używane są jony grup IIb, IIIa, IVa, Va, VIa. Podczas implantacji temperatura podłoża nie przekracza 100°C. Dla potrzeb optoelektroniki i spintroniki istnieje możliwość implantowania jonami metali ziem rzadkich oraz jonami metali przejściowych. Posiadane urządzenie pozwala również na wyznaczenie inżynierii defektów przy podłożach podgrzewanych do 500°C Dodatkowe wyposażenie w postaci robota do automatycznego załadunku płytek pozwala na zastosowanie tego urządzenia w małoseryjnej produkcji. Warunki prowadzenia procesu:

• możliwość implantacji jonów tlenu, azotu, wodoru, argonu, boru oraz innych (w bardzo szerokim zakresie mas, tj. 1-210 AMU),
• możliwość implantacji na podłożach 100 mm/4’’, 150 mm/6’’ i 200 mm/8’’, mniejsze podłoża po wcześniejszych uzgodnieniach,
• chłodzenie podłoża wspomagane helem – możliwość implantacji przez maskę z grubej emulsji fotolitograficznej,
• możliwość implantacji przy podwyższonej, kontrolowanej temperaturze podłoża od 100°C do 500°C,
• napięcie przyspieszające z zakresu 5 kV do 200 kV, prąd wiązki do 1,5 mA (zależnie od rodzaju jonów).

Słowa kluczowe: implantacja, implantator jonów, optoelektronika, spintronika, formowanie napięcia progowego, Well i Halo, inżynieria defektów, smart-cut

kontakt: uslugi.cezamat@pw.edu.pl