mgr inż. Marcin Myśliwiec

Asystent badawczy

Biografia

Absolwent Wydziału Elektroniki i Technik Informacyjnych PW (inż. 2011). W styczniu 2013 r obronił pracę magisterską na Wydziale Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej pt. „Połączenia typu flip-chip w montażu diod SiC pracujących w temperaturach do 350 °C”. Od grudnia 2013 jest związany z projektem CEZAMAT początkowo w zakresie wyposażania i uruchamiania laboratoriów i aparatury badawczej. W 2013 roku odbył 6-miesięczny staż w ośrodku badawczym IMEC w Belgii, gdzie zajmował się przygotowaniem podłoży SiGe do procesów epitaksji oraz ujawniania defektów materiałowych metodami chemicznymi. W latach 2011-2016 pracował w Instytucie Technologii Elektronowej przy wytwarzaniu i charakteryzacji przyrządów mocy i wysokiej częstotliwości wykonanych z półprzewodników III-V z szeroka przerwą energetyczną.

Obszar badań

  • implantacja jonów (domieszkowanie półprzewodników, modyfikacja powierzchni podłoży półprzewodnikowych)
  • montaż przyrządów półprzewodnikowych w obudowach
  • technologie montażu dla półprzewodników szerokoprzerwowych pracujących w wysokich temperaturach

Wybrane publikacje

  1. P. Górecki, M. Myśliwiec, K. Górecki and R. Kisiel, "Influence of Packaging Processes and Temperature on Characteristics of Schottky Diodes Made of SiC," in IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology, vol. 9, no. 4, pp. 633-641, April 2019, doi: 10.1109/TCPMT.2019.2894970
  2. P. Górecki, K. Górecki, R. Kisiel and M. Myśliwiec, "Thermal Parameters of Monocrystalline GaN Schottky Diodes," in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 66, no. 5, pp. 2132-2138, May 2019, doi: 10.1109/TED.2019.2907066
  3. Górecki, K., Bisewski, D., Zarębski, J., Kisiel, R. and Myśliwiec, M. (2017), "Investigations of mutual thermal coupling between SiC Schottky diodes situated in the common case", Circuit World, Vol. 43 No. 1, pp. 38-42. https://doi.org/10.1108/CW-10-2016-0046
  4. M. Śmietana, M. Dominik, M. Myśliwiec, N. Kwietniewski, P. Mikulic, B.S. Witkowski, W.J. Bock, Properties of silicon nitride thin overlays deposited on optical fibers — Effect of fiber suspension in radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition reactor, Thin Solid Films, Volume 603, 2016, Pages 8-13, ISSN 0040-6090, https://doi.org/10.1016/j.tsf.2016.01.046
  5. Myśliwiec, M., Kisiel, R. and Guziewicz, M. (2015), "Material and technological aspects of high-temperature SiC device packages reliability", Microelectronics International, Vol. 32 No. 3, pp. 143-148. https://doi.org/10.1108/MI-01-2015-0009
Skip to content